Le GaN monte en puissance
La technologie GaN (Nitrure de Gallium) gagne du terrain et concentre les efforts d’investissement des plus gros acteurs du marché électronique RF et Puissance.
Afin d’en confirmer les performances, cette technologie nécessite des moyens de caractérisation avancés. Le laboratoire de SERMA Technologies s’associe aux laboratoires de Science et Surface, de l’IRT Nanoelec et du CEA Tech pour vous présenter leurs différentes techniques vous permettant de caractériser à la fois la qualité de fabrication et le fonctionnement dynamique des composants GaN.
Une séance de questions/réponses se tiendra en deuxième partie de ce webinaire.
Les intervenants :
- Mathieu MEDINA, SERMA Technologies, Directeur R&D
- Béatrice MOREAU, SERMA Technologies, Responsable Pôle de Compétences TEM
- Laurent DUPUY, Science & Surface, Responsable analyses ToF-SIMS
- Ennio CAPRIA, Directeur du programme Caractérisation de l’IRT Nanoelec
- Mathieu GAVELLE, CEA Tech, Responsable Plateforme Puissance
